受試器件應(yīng)以一定的方式安裝、暴露在規(guī)定的溫濕度環(huán)境中，并施加規(guī)定的偏置電壓。器件應(yīng)避免暴露于過熱、干燥或?qū)е缕骷凸ぱb夾具上產(chǎn)生冷凝水的環(huán)境中，尤其在試驗應(yīng)力上升和下降過程中。
實驗程序：
1、預(yù)處理
適用時，應(yīng)按照相關(guān)標(biāo)準進行預(yù)處理。
2、初始檢測
試驗樣品應(yīng)按照相關(guān)標(biāo)準規(guī)定，進行外觀檢查和電氣參數(shù)測試。
3、上升
達到穩(wěn)定的溫度和相對濕度的時間應(yīng)少于3h。通過保證在整個試驗時間內(nèi)高低溫濕熱試驗箱的干球溫度超過濕球溫度來避免產(chǎn)生冷凝。
4、下降
下降時間應(yīng)不超過3h。通過保證在整個試驗時間內(nèi)高低溫濕熱試驗箱的干球溫度超過濕球溫度來避免產(chǎn)生冷凝。
5、器件內(nèi)部濕氣穩(wěn)定時間
由于濕氣穿透器件外殼并抵達芯片表面需要一定的時間，因此當(dāng)高低溫濕熱試驗箱內(nèi)環(huán)境溫度和濕度達到穩(wěn)定后，應(yīng)繼續(xù)保持直至濕氣完全抵達芯片表面。由于環(huán)氧樹脂相較于硅膠，其抵御濕氣進入的能力強得多，因此對于環(huán)氧樹脂封裝器件穩(wěn)定時間不少于336h，硅膠封裝器件穩(wěn)定時間不少于24h。
6、試驗計時
器件按6.5的要求進行充分穩(wěn)定后，開始施加規(guī)定的偏置電壓，此時試驗計時開始。當(dāng)達到規(guī)定的持續(xù)時間，溫濕度開始下降時計時結(jié)束。
7、施加偏置電壓
器件按6.5的要求進行充分穩(wěn)定后，開始施加規(guī)定的偏置電壓。當(dāng)試驗結(jié)束且恢復(fù)完成后，再將偏置電壓移除。施加偏置電壓時，若受試器件為絕緣柵雙極晶體管(IGBT)或場效應(yīng)晶體管(MOSFET)，其柵極和發(fā)射極或柵極和源極之間應(yīng)可靠短路或施加負壓。
8、中間檢測
如果要求進行中間檢測，當(dāng)檢測完成后，應(yīng)重新按6.5的要求充分穩(wěn)定后，再施加偏置電壓并重新計時。
9、完成檢測
試驗結(jié)束，試驗樣品恢復(fù)常溫后，在48h內(nèi)應(yīng)按照相關(guān)標(biāo)準規(guī)定，進行外觀檢查和電氣參數(shù)測試。
10、失效判據(jù)
如果器件不能通過規(guī)定的終測試，或按照適用的采購文件和數(shù)據(jù)表中規(guī)定的正常和極限環(huán)境中不能驗證其功能，器件視為失效。
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